IDM08G120C5XTMA1 Prezos (USD) [24076unidades de stock]
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- Número de peza:
- IDM08G120C5XTMA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- DIODE SCHOTTKY 1200V 8A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers SIC CHIP/DISCRETE
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Finalidade especial, Diodos - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Tiristores: DIACs, SIDACs, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado and Transistores - Unión programable ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IDM08G120C5XTMA1 electronic components. IDM08G120C5XTMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IDM08G120C5XTMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IDM08G120C5XTMA1 Atributos do produto
Número de peza :
IDM08G120C5XTMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
DIODE SCHOTTKY 1200V 8A TO252-2
Serie :
CoolSiC™
Estado da parte :
Active
Tipo de diodo :
Silicon Carbide Schottky
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
1200V
Actual - Media rectificada (Io) :
8A (DC)
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
1.95V @ 8A
Velocidade :
No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) :
0ns
Actual - Fuga inversa @ Vr :
40µA @ 1200V
Capacitancia @ Vr, F :
365pF @ 1V, 1MHz
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paquete de dispositivos de provedores :
PG-TO252-2
Temperatura de funcionamento: unión :
-55°C ~ 175°C
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