IDH08G120C5XKSA1 Prezos (USD) [13098unidades de stock]
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- Número de peza:
- IDH08G120C5XKSA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- DIODE SCHOTTKY 1200V 8A TO220-2. Schottky Diodes & Rectifiers SIC CHIP/DISCRETE
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - JFETs, Tiristores: DIACs, SIDACs, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - Finalidade especial, Diodos - RF and Módulos de controlador de enerxía ...
- Ventaxa competitiva:
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IDH08G120C5XKSA1 Atributos do produto
Número de peza :
IDH08G120C5XKSA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
DIODE SCHOTTKY 1200V 8A TO220-2
Serie :
CoolSiC™
Estado da parte :
Active
Tipo de diodo :
Silicon Carbide Schottky
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
1200V
Actual - Media rectificada (Io) :
8A (DC)
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
1.95V @ 8A
Velocidade :
No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) :
0ns
Actual - Fuga inversa @ Vr :
40µA @ 1200V
Capacitancia @ Vr, F :
365pF @ 1V, 1MHz
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete / Estuche :
TO-220-2
Paquete de dispositivos de provedores :
PG-TO220-2-1
Temperatura de funcionamento: unión :
-55°C ~ 175°C
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- 1N5404RL
- MA2778400L
- IRKE166/14
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- FR505-TP
- SE20DBHM3/I
- ES3B-M3/57T
- MUR315S M6G
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