Infineon Technologies - IDH09G65C5XKSA2

KEY Part #: K6436856

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Número de peza:
IDH09G65C5XKSA2
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrición detallada:
DIODE SCHOTTKY 650V 9A TO220-2-1. Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Tiristores: SCRs, Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Diodos - Zener - Arrays, Módulos de controlador de enerxía, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor and Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IDH09G65C5XKSA2 Atributos do produto

Número de peza : IDH09G65C5XKSA2
Fabricante : Infineon Technologies
Descrición : DIODE SCHOTTKY 650V 9A TO220-2-1
Serie : CoolSiC™
Estado da parte : Active
Tipo de diodo : Silicon Carbide Schottky
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) : 650V
Actual - Media rectificada (Io) : 9A (DC)
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se : 1.7V @ 9A
Velocidade : No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) : 0ns
Actual - Fuga inversa @ Vr : 160µA @ 650V
Capacitancia @ Vr, F : 270pF @ 1V, 1MHz
Tipo de montaxe : Through Hole
Paquete / Estuche : TO-220-2
Paquete de dispositivos de provedores : PG-TO220-2-1
Temperatura de funcionamento: unión : -55°C ~ 175°C

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