IXYS - IXTX22N100L

KEY Part #: K6398324

IXTX22N100L Prezos (USD) [2832unidades de stock]

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  • 10 pcs$15.55669
  • 100 pcs$13.28605

Número de peza:
IXTX22N100L
Fabricante:
IXYS
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 1000V 22A PLUS247.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Diodos: rectificadores de ponte, Módulos de controlador de enerxía, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Tiristores: TRIAC, Transistores - IGBTs - Arrays, Transistores - JFETs and Tiristores: SCRs ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTX22N100L Atributos do produto

Número de peza : IXTX22N100L
Fabricante : IXYS
Descrición : MOSFET N-CH 1000V 22A PLUS247
Serie : -
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 1000V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 22A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 600 mOhm @ 11A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 270nC @ 15V
Vgs (máximo) : ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 7050pF @ 25V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 700W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores : PLUS247™-3
Paquete / Estuche : TO-247-3

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