Número de peza :
NVTFS6H888NTAG
Fabricante :
ON Semiconductor
Serie :
Automotive, AEC-Q101
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
80V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
4.7A (Ta), 12A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
55 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 15µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
4.7nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
220pF @ 40V
Disipación de potencia (máx.) :
2.9W (Ta), 18W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
8-WDFN (3.3x3.3)
Paquete / Estuche :
8-PowerWDFN