IDP30E65D1XKSA1 Prezos (USD) [47232unidades de stock]
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- Número de peza:
- IDP30E65D1XKSA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- DIODE GEN PURP 650V 60A TO220-2. Diodes - General Purpose, Power, Switching IGBT PRODUCTS
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Finalidade especial, Diodos - Zener - Single, Diodos - Zener - Arrays, Transistores - IGBTs - Arrays, Transistores - IGBTs - Single and Tiristores: TRIAC ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IDP30E65D1XKSA1 electronic components. IDP30E65D1XKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IDP30E65D1XKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IDP30E65D1XKSA1 Atributos do produto
Número de peza :
IDP30E65D1XKSA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
DIODE GEN PURP 650V 60A TO220-2
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo de diodo :
Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
650V
Actual - Media rectificada (Io) :
60A (DC)
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
1.7V @ 30A
Velocidade :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) :
64ns
Actual - Fuga inversa @ Vr :
40µA @ 650V
Capacitancia @ Vr, F :
-
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete / Estuche :
TO-220-2
Paquete de dispositivos de provedores :
PG-TO220-2-1
Temperatura de funcionamento: unión :
-40°C ~ 175°C
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- D251K12BXPSA1
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- RF 1A
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- HER604-TP
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