NSVBAS19LT1G Prezos (USD) [2789186unidades de stock]
- 1 pcs$0.01326
- 27,000 pcs$0.00905
- Número de peza:
- NSVBAS19LT1G
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrición detallada:
- DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching SS SOT23 SWCH DIO 120V TR
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Zener - Arrays, Tiristores - SCRs - Módulos and Tiristores: SCRs ...
- Ventaxa competitiva:
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NSVBAS19LT1G Atributos do produto
Número de peza :
NSVBAS19LT1G
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrición :
DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo de diodo :
Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
120V
Actual - Media rectificada (Io) :
200mA (DC)
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
1.25V @ 200mA
Velocidade :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo de recuperación inversa (trr) :
50ns
Actual - Fuga inversa @ Vr :
100nA @ 100V
Capacitancia @ Vr, F :
5pF @ 0V, 1MHz
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paquete de dispositivos de provedores :
SOT-23-3 (TO-236)
Temperatura de funcionamento: unión :
-55°C ~ 150°C
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- RGP10K-M3/73
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- HER604-TP
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- ESH2PD-E3/84A
- SS8PH9HM3/87A
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