RGF1AHE3/67A Prezos (USD) [506068unidades de stock]
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- 6,000 pcs$0.06624
- Número de peza:
- RGF1AHE3/67A
- Fabricante:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Descrición detallada:
- DIODE GEN PURP 50V 1A DO214BA. Diodes - General Purpose, Power, Switching 1 Amp 50 Volt 150ns 30 Amp IFSM
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - JFETs, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - IGBTs - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Tiristores: TRIAC and Transistores - IGBTs - Single ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division RGF1AHE3/67A electronic components. RGF1AHE3/67A can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RGF1AHE3/67A, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RGF1AHE3/67A Atributos do produto
Número de peza :
RGF1AHE3/67A
Fabricante :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición :
DIODE GEN PURP 50V 1A DO214BA
Serie :
SUPERECTIFIER®
Estado da parte :
Active
Tipo de diodo :
Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
50V
Actual - Media rectificada (Io) :
1A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
1.3V @ 1A
Velocidade :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) :
150ns
Actual - Fuga inversa @ Vr :
5µA @ 50V
Capacitancia @ Vr, F :
8.5pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
DO-214BA
Paquete de dispositivos de provedores :
DO-214BA (GF1)
Temperatura de funcionamento: unión :
-65°C ~ 175°C
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