STW18NM60N Prezos (USD) [25007unidades de stock]
- 1 pcs$1.65630
- 600 pcs$1.64806
- Número de peza:
- STW18NM60N
- Fabricante:
- STMicroelectronics
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 600V 13A TO-247.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - Finalidade especial, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado and Transistores - Bipolar (BJT) - Individual ...
- Ventaxa competitiva:
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STW18NM60N Atributos do produto
Número de peza :
STW18NM60N
Fabricante :
STMicroelectronics
Descrición :
MOSFET N-CH 600V 13A TO-247
Serie :
MDmesh™ II
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
600V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
13A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
285 mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
35nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
1000pF @ 50V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
110W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-247-3
Paquete / Estuche :
TO-247-3
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