Micron Technology Inc. - MT47H128M8SH-25E AAT:M

KEY Part #: K936875

MT47H128M8SH-25E AAT:M Prezos (USD) [15327unidades de stock]

  • 1 pcs$3.00455
  • 1,518 pcs$2.98960

Número de peza:
MT47H128M8SH-25E AAT:M
Fabricante:
Micron Technology Inc.
Descrición detallada:
IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Adquisición de datos: convertedores dixitais a ana, Interfaz: Sensor, tacto capacitivo, Reloxo / Temporalización: reloxos en tempo real, Memoria, PMIC - Controladores de alimentación Ethernet (PoE, Interface - Interruptores analóxicos - Finalidade , Lóxica: contadores, divisores and Incrustado: microprocesadores ...
Ventaxa competitiva:
We specialize in Micron Technology Inc. MT47H128M8SH-25E AAT:M electronic components. MT47H128M8SH-25E AAT:M can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MT47H128M8SH-25E AAT:M, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MT47H128M8SH-25E AAT:M Atributos do produto

Número de peza : MT47H128M8SH-25E AAT:M
Fabricante : Micron Technology Inc.
Descrición : IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA
Serie : -
Estado da parte : Last Time Buy
Tipo de memoria : Volatile
Formato de memoria : DRAM
Tecnoloxía : SDRAM - DDR2
Tamaño da memoria : 1Gb (128M x 8)
Frecuencia do reloxo : 400MHz
Cycle Time - Word, páx : 15ns
Tempo de acceso : 400ps
Interface de memoria : Parallel
Tensión - subministración : 1.7V ~ 1.9V
Temperatura de operación : -40°C ~ 105°C (TC)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete / Estuche : 60-TFBGA
Paquete de dispositivos de provedores : 60-FBGA (10x18)

Tamén pode estar interesado
  • 71V30S55TFG8

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 8K PARALLEL 64TQFP. SRAM 1Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V DUAL-PORT RAM

  • AT28C256E-15SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 256K HI-ENDURANCE SDP- 150NS IND TEMP

  • IS61LP6432A-133TQLI

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP. SRAM 2Mb 64Kx32 133Mhz Sync SRAM 3.3v

  • 71V25761S183PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 128Kx36 SYNC 3.3V PIPELINED BURST SRAM

  • W29N04GZBIBA

    Winbond Electronics

    IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash 4G-bit NAND flash, 1.8V, 4-bit ECC, 1.8V, x8

  • W29N04GWBIBA

    Winbond Electronics

    IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash 4G-bit NAND flash, 1.8V, 4-bit ECC, 1.8V, x16