IPI65R150CFDXKSA1 Prezos (USD) [2453unidades de stock]
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- Número de peza:
- IPI65R150CFDXKSA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 650V 22.4A TO-262.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Diodos - Zener - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Tiristores: SCRs, Tiristores: TRIAC, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays and Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado ...
- Ventaxa competitiva:
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IPI65R150CFDXKSA1 Atributos do produto
Número de peza :
IPI65R150CFDXKSA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET N-CH 650V 22.4A TO-262
Serie :
CoolMOS™
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
650V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
22.4A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
150 mOhm @ 9.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 900µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
86nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
2340pF @ 100V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
195.3W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
PG-TO262-3-1
Paquete / Estuche :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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