APT45GP120B2DQ2G Prezos (USD) [4228unidades de stock]
- 1 pcs$10.24356
- 10 pcs$9.47356
- 25 pcs$8.70522
- 100 pcs$7.69608
- 250 pcs$7.06285
- Número de peza:
- APT45GP120B2DQ2G
- Fabricante:
- Microsemi Corporation
- Descrición detallada:
- IGBT 1200V 113A 625W TMAX.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Unión programable, Transistores - Finalidade especial, Diodos: rectificadores de ponte, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays and Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado ...
- Ventaxa competitiva:
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APT45GP120B2DQ2G Atributos do produto
Número de peza :
APT45GP120B2DQ2G
Fabricante :
Microsemi Corporation
Descrición :
IGBT 1200V 113A 625W TMAX
Serie :
POWER MOS 7®
Estado da parte :
Active
Tipo IGBT :
PT
Tensión - Desglose do emisor do coleccionista (máximo) :
1200V
Actual - Coleccionista (Ic) (máximo) :
113A
Actual - Coleccionista pulsado (Icm) :
170A
Vce (activado) (Máx.) @ Vge, Ic :
3.9V @ 15V, 45A
Potencia: máx :
625W
Enerxía de conmutación :
900µJ (on), 905µJ (off)
Tipo de entrada :
Standard
Carga de porta :
185nC
Td (activado / apagado) a 25 ° C :
18ns/100ns
Condición da proba :
600V, 45A, 5 Ohm, 15V
Tempo de recuperación inversa (trr) :
-
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete / Estuche :
TO-247-3 Variant
Paquete de dispositivos de provedores :
-
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