ON Semiconductor - HGT1S10N120BNS

KEY Part #: K6424802

HGT1S10N120BNS Prezos (USD) [28534unidades de stock]

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Número de peza:
HGT1S10N120BNS
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrición detallada:
IGBT 1200V 35A 298W TO263AB.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
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Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

HGT1S10N120BNS Atributos do produto

Número de peza : HGT1S10N120BNS
Fabricante : ON Semiconductor
Descrición : IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
Serie : -
Estado da parte : Not For New Designs
Tipo IGBT : NPT
Tensión - Desglose do emisor do coleccionista (máximo) : 1200V
Actual - Coleccionista (Ic) (máximo) : 35A
Actual - Coleccionista pulsado (Icm) : 80A
Vce (activado) (Máx.) @ Vge, Ic : 2.7V @ 15V, 10A
Potencia: máx : 298W
Enerxía de conmutación : 320µJ (on), 800µJ (off)
Tipo de entrada : Standard
Carga de porta : 100nC
Td (activado / apagado) a 25 ° C : 23ns/165ns
Condición da proba : 960V, 10A, 10 Ohm, 15V
Tempo de recuperación inversa (trr) : -
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete / Estuche : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paquete de dispositivos de provedores : TO-263AB