IXYS - IXFT80N10Q

KEY Part #: K6407012

IXFT80N10Q Prezos (USD) [1120unidades de stock]

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Número de peza:
IXFT80N10Q
Fabricante:
IXYS
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 100V 80A TO-268.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Rectificadores - Solteiros, Transistores - Unión programable, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistores - IGBTs - Módulos and Tiristores: TRIAC ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFT80N10Q Atributos do produto

Número de peza : IXFT80N10Q
Fabricante : IXYS
Descrición : MOSFET N-CH 100V 80A TO-268
Serie : HiPerFET™
Estado da parte : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 100V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 80A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 15 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 4mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 180nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 4500pF @ 25V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 360W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : TO-268
Paquete / Estuche : TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

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