Infineon Technologies - IRF7473TRPBF

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Número de peza:
IRF7473TRPBF
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 100V 6.9A 8-SOIC.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
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Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF7473TRPBF Atributos do produto

Número de peza : IRF7473TRPBF
Fabricante : Infineon Technologies
Descrición : MOSFET N-CH 100V 6.9A 8-SOIC
Serie : HEXFET®
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 100V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 6.9A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 26 mOhm @ 4.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 61nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 3180pF @ 25V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 2.5W (Ta)
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : 8-SO
Paquete / Estuche : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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