Número de peza :
1N6631US
Fabricante :
Microsemi Corporation
Descrición :
DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A A-MELF
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
1100V
Actual - Media rectificada (Io) :
1.4A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
1.4V @ 1.4A
Velocidade :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) :
60ns
Actual - Fuga inversa @ Vr :
4µA @ 1100V
Capacitancia @ Vr, F :
40pF @ 10V, 1MHz
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
SQ-MELF, A
Paquete de dispositivos de provedores :
A-MELF
Temperatura de funcionamento: unión :
-65°C ~ 150°C