SIHB22N60E-E3 Prezos (USD) [20509unidades de stock]
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- 10 pcs$1.79365
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- 500 pcs$1.19098
- 1,000 pcs$0.95293
- Número de peza:
- SIHB22N60E-E3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Tiristores: SCRs, Transistores - IGBTs - Arrays, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Transistores - IGBTs - Single, Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays and Transistores - JFETs ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Vishay Siliconix SIHB22N60E-E3 electronic components. SIHB22N60E-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHB22N60E-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SIHB22N60E-E3 Atributos do produto
Número de peza :
SIHB22N60E-E3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrición :
MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
600V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
21A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
180 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
86nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
1920pF @ 100V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
227W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
D2PAK
Paquete / Estuche :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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