SIHB33N60EF-GE3 Prezos (USD) [12620unidades de stock]
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- 10 pcs$2.83590
- 100 pcs$2.33174
- 500 pcs$1.95362
- 1,000 pcs$1.70154
- Número de peza:
- SIHB33N60EF-GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 600V 33A TO-263.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
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- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - IGBTs - Módulos, Módulos de controlador de enerxía, Diodos - Rectificadores - Arrays, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Tiristores: SCRs, Diodos - Zener - Arrays and Diodos - Rectificadores - Solteiros ...
- Ventaxa competitiva:
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SIHB33N60EF-GE3 Atributos do produto
Número de peza :
SIHB33N60EF-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrición :
MOSFET N-CH 600V 33A TO-263
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
600V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
33A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
98 mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
155nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
3454pF @ 100V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
278W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
D²PAK (TO-263)
Paquete / Estuche :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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