IXFH9N80Q Prezos (USD) [12099unidades de stock]
- 1 pcs$3.76527
- 30 pcs$3.74654
- Número de peza:
- IXFH9N80Q
- Fabricante:
- IXYS
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 800V 9A TO-247.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
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- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores - SCRs - Módulos, Tiristores: SCRs, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Diodos: rectificadores de ponte, Transistores - IGBTs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual and Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor ...
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IXFH9N80Q Atributos do produto
Número de peza :
IXFH9N80Q
Fabricante :
IXYS
Descrición :
MOSFET N-CH 800V 9A TO-247
Serie :
HiPerFET™
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
800V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
9A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.1 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 2.5mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
56nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
2200pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
180W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-247AD (IXFH)
Paquete / Estuche :
TO-247-3
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