DST10100S Prezos (USD) [261964unidades de stock]
- 1 pcs$0.14119
- 5,000 pcs$0.13413
- 10,000 pcs$0.12909
- 25,000 pcs$0.12506
- Número de peza:
- DST10100S
- Fabricante:
- Littelfuse Inc.
- Descrición detallada:
- DIODE SCHOTTKY 10A 100V TO-277B. Schottky Diodes & Rectifiers 100V 10A
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Tiristores: SCRs, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos: rectificadores de ponte, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Zener - Single and Transistores - Finalidade especial ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Littelfuse Inc. DST10100S electronic components. DST10100S can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DST10100S, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DST10100S Atributos do produto
Número de peza :
DST10100S
Fabricante :
Littelfuse Inc.
Descrición :
DIODE SCHOTTKY 10A 100V TO-277B
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo de diodo :
Schottky
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
100V
Actual - Media rectificada (Io) :
10A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
700mV @ 10A
Velocidade :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) :
-
Actual - Fuga inversa @ Vr :
250µA @ 100V
Capacitancia @ Vr, F :
-
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
TO-277, 3-PowerDFN
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-277B
Temperatura de funcionamento: unión :
-55°C ~ 150°C
Últimas novas
Tamén pode estar interesado
-
-
BAS16E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODE 85V 0.25A
-
-
CMDD6001 TR
Central Semiconductor Corp
DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD323. Diodes - General Purpose, Power, Switching Ultra Low Leakage 71Vr 100Vrrm 250mA
-
VS-5EWH06FNTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK. Rectifiers Hyperfast 5A 600V 18ns
-
1N4150W-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 50 Volt 500mA 4ns
Pezas quentes
- BYV29B-600PJ
- RL104-N-2-3-AP
- 1N3172A
- CMSH2-40M BK
- VI30120SGHM3/4W
- JAN1N1614R
- 1N4946GP-M3/54
- UES2605R
- CD214B-F3150
- SB340S-E3/54
- DSR01S30SC(TPL3)
- RGP02-16EHE3/53
- ES3GHE3/57T
- UF8CT-E3/4W
- S1DA-E3/5AT
- 1N4446_T50R
- HFA08TB60STRR
- PR3005-T
- PR2006G-T
- STTH20R04W
- SIDC73D170E6X1SA2
- CD214A-B240LF
- 10WQ045FN
- MA2711100L
- MMBD914-7
- 10ETF02STRL
- IRKE91/04A
- 30EPF12
- 20ETF02
- BAT42W-7
- SM4933A-TP
- FR154S-TP
- FR604-AP
- GIB1403-E3/81
- SE40PGHM3_A/H
- RN 1ZV
- CDBB3150-G
- PMEG2010AET,215
- 1N4005GPE-E3/54
- BAS16WF