Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-4ESH01-M3/86A

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Número de peza:
VS-4ESH01-M3/86A
Fabricante:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición detallada:
DIODE GEN PURP 100V 4A TO277A. Rectifiers Hypfst Rct 4A 100V
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
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Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-4ESH01-M3/86A Atributos do produto

Número de peza : VS-4ESH01-M3/86A
Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición : DIODE GEN PURP 100V 4A TO277A
Serie : FRED Pt®
Estado da parte : Active
Tipo de diodo : Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) : 100V
Actual - Media rectificada (Io) : 4A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se : 930mV @ 4A
Velocidade : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) : 20ns
Actual - Fuga inversa @ Vr : 2µA @ 100V
Capacitancia @ Vr, F : -
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete / Estuche : TO-277, 3-PowerDFN
Paquete de dispositivos de provedores : TO-277A (SMPC)
Temperatura de funcionamento: unión : -65°C ~ 175°C

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