Número de peza :
2SK879-Y(TE85L,F)
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición :
JFET N-CH 0.1W USM
Tensión - Avaría (V (BR) GSS) :
-
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
-
Actual - Escorrer (Idss) @ Vds (Vgs = 0) :
1.2mA @ 10V
Drenaxe actual (Id): máx :
-
Tensión: corte (VGS apagado) @ identificador :
400mV @ 100nA
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
8.2pF @ 10V
Resistencia - RDS (On) :
-
Temperatura de operación :
125°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
SC-70, SOT-323
Paquete de dispositivos de provedores :
USM