Toshiba Semiconductor and Storage - 2SK879-Y(TE85L,F)

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2SK879-Y(TE85L,F) Prezos (USD) [663036unidades de stock]

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Número de peza:
2SK879-Y(TE85L,F)
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición detallada:
JFET N-CH 0.1W USM.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores: TRIAC, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual and Diodos: rectificadores de ponte ...
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

2SK879-Y(TE85L,F) Atributos do produto

Número de peza : 2SK879-Y(TE85L,F)
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición : JFET N-CH 0.1W USM
Serie : -
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tensión - Avaría (V (BR) GSS) : -
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : -
Actual - Escorrer (Idss) @ Vds (Vgs = 0) : 1.2mA @ 10V
Drenaxe actual (Id): máx : -
Tensión: corte (VGS apagado) @ identificador : 400mV @ 100nA
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 8.2pF @ 10V
Resistencia - RDS (On) : -
Potencia: máx : 100mW
Temperatura de operación : 125°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete / Estuche : SC-70, SOT-323
Paquete de dispositivos de provedores : USM

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