SIZF906DT-T1-GE3 Prezos (USD) [125990unidades de stock]
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- Número de peza:
- SIZF906DT-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrición detallada:
- MOSFET 2 N-CH 30V 60A POWERPAIR.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
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- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Zener - Single, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Tiristores: DIACs, SIDACs, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual and Tiristores: SCRs ...
- Ventaxa competitiva:
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SIZF906DT-T1-GE3 Atributos do produto
Número de peza :
SIZF906DT-T1-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrición :
MOSFET 2 N-CH 30V 60A POWERPAIR
Serie :
TrenchFET® Gen IV
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Función FET :
Standard
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
30V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.8 mOhm @ 15A, 10V, 1.17 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
22nC @ 4.5V, 92nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V
Potencia: máx :
38W (Tc), 83W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TA)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
8-PowerWDFN
Paquete de dispositivos de provedores :
8-PowerPair® (6x5)
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