ON Semiconductor - SSVMUN5312DW1T2G

KEY Part #: K6528817

SSVMUN5312DW1T2G Prezos (USD) [877311unidades de stock]

  • 1 pcs$0.04216
  • 6,000 pcs$0.03981

Número de peza:
SSVMUN5312DW1T2G
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrición detallada:
TRANS BRT DUAL 100MA 50V SOT363.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Tiristores: SCRs, Transistores - JFETs, Transistores - Finalidade especial, Diodos: rectificadores de ponte, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Transistores - IGBTs - Single ...
Ventaxa competitiva:
We specialize in ON Semiconductor SSVMUN5312DW1T2G electronic components. SSVMUN5312DW1T2G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SSVMUN5312DW1T2G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SSVMUN5312DW1T2G Atributos do produto

Número de peza : SSVMUN5312DW1T2G
Fabricante : ON Semiconductor
Descrición : TRANS BRT DUAL 100MA 50V SOT363
Serie : -
Estado da parte : Active
Tipo de transistor : 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Actual - Coleccionista (Ic) (máximo) : 100mA
Tensión - Desglose do emisor do coleccionista (máximo) : 50V
Resistor - Base (R1) : 22 kOhms
Resistor - Base do emisor (R2) : 22 kOhms
Ganancia de corrente continua (hFE) (min) @ ic, Vce : 60 @ 5mA, 10V
Vce Saturación (Max) @ Ib, Ic : 250mV @ 300µA, 10mA
Actual - Corte do coleccionista (máximo) : 500nA
Frecuencia - Transición : -
Potencia: máx : 187mW
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete / Estuche : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paquete de dispositivos de provedores : SC-88/SC70-6/SOT-363

Tamén pode estar interesado