1SS307E,L3F Prezos (USD) [3127807unidades de stock]
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- 1,000 pcs$0.04192
- 2,500 pcs$0.03773
- Número de peza:
- 1SS307E,L3F
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrición detallada:
- DIODE GEN PURP 80V 100MA SC79. Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching diode SNG Low leak current
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores: SCRs, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - IGBTs - Arrays, Diodos - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Single and Transistores - Unión programable ...
- Ventaxa competitiva:
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1SS307E,L3F Atributos do produto
Número de peza :
1SS307E,L3F
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición :
DIODE GEN PURP 80V 100MA SC79
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo de diodo :
Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
80V
Actual - Media rectificada (Io) :
100mA
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
1.3V @ 100mA
Velocidade :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo de recuperación inversa (trr) :
-
Actual - Fuga inversa @ Vr :
10nA @ 80V
Capacitancia @ Vr, F :
6pF @ 0V, 1MHz
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
SC-79, SOD-523
Paquete de dispositivos de provedores :
SC-79
Temperatura de funcionamento: unión :
150°C (Max)
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