IDH03G65C5XKSA2 Prezos (USD) [50010unidades de stock]
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- 500 pcs$0.47112
- 1,000 pcs$0.39036
- Número de peza:
- IDH03G65C5XKSA2
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- DIODE SCHOTTKY 650V 3A TO220-2-1. Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Unión programable, Diodos - Zener - Arrays, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Módulos de controlador de enerxía, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays and Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos ...
- Ventaxa competitiva:
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IDH03G65C5XKSA2 Atributos do produto
Número de peza :
IDH03G65C5XKSA2
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
DIODE SCHOTTKY 650V 3A TO220-2-1
Serie :
CoolSiC™
Estado da parte :
Active
Tipo de diodo :
Silicon Carbide Schottky
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
650V
Actual - Media rectificada (Io) :
3A (DC)
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
1.7V @ 3A
Velocidade :
No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) :
0ns
Actual - Fuga inversa @ Vr :
50µA @ 650V
Capacitancia @ Vr, F :
100pF @ 1V, 1MHz
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete / Estuche :
TO-220-2
Paquete de dispositivos de provedores :
PG-TO220-2-1
Temperatura de funcionamento: unión :
-55°C ~ 175°C
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- RL104-N-2-3-AP
- 1N3172A
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- VI30120SGHM3/4W
- JAN1N1614R
- 1N4946GP-M3/54
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- CD214B-F3150
- SB340S-E3/54
- DSR01S30SC(TPL3)
- RGP02-16EHE3/53
- ES3GHE3/57T
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- 1N4446_T50R
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- 20ETF02
- BAT42W-7
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- GIB1403-E3/81
- SE40PGHM3_A/H
- RN 1ZV
- CDBB3150-G
- PMEG2010AET,215
- 1N4005GPE-E3/54
- BAS16WF