FDD850N10LD Prezos (USD) [180202unidades de stock]
- 1 pcs$0.20526
- 2,500 pcs$0.18028
- Número de peza:
- FDD850N10LD
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 100V 15.3A DPAK.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - IGBTs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Diodos - Zener - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - RF, Módulos de controlador de enerxía and Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays ...
- Ventaxa competitiva:
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FDD850N10LD Atributos do produto
Número de peza :
FDD850N10LD
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrición :
MOSFET N-CH 100V 15.3A DPAK
Serie :
PowerTrench®
Estado da parte :
Last Time Buy
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
100V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
15.3A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
75 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
28.9nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
1465pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
42W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-252-4L
Paquete / Estuche :
TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
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