RS1P600BETB1 Prezos (USD) [76290unidades de stock]
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- Número de peza:
- RS1P600BETB1
- Fabricante:
- Rohm Semiconductor
- Descrición detallada:
- RS1P600BE IS A POWER MOSFET WITH.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores: SCRs, Transistores - JFETs, Tiristores: TRIAC, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Unión programable and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
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RS1P600BETB1 Atributos do produto
Número de peza :
RS1P600BETB1
Fabricante :
Rohm Semiconductor
Descrición :
RS1P600BE IS A POWER MOSFET WITH
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
100V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
17.5A (Ta), 60A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
9.7 mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 500µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
33nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
2200pF @ 50V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
3W (Ta), 35W (Tc)
Temperatura de operación :
150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
8-HSOP
Paquete / Estuche :
8-PowerTDFN
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