IDV20E65D1XKSA1 Prezos (USD) [45618unidades de stock]
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- Número de peza:
- IDV20E65D1XKSA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- DIODE GEN PURP 650V 28A TO220-2. Schottky Diodes & Rectifiers IGBT PRODUCTS
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - Finalidade especial, Módulos de controlador de enerxía, Transistores - JFETs, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays and Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor ...
- Ventaxa competitiva:
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IDV20E65D1XKSA1 Atributos do produto
Número de peza :
IDV20E65D1XKSA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
DIODE GEN PURP 650V 28A TO220-2
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo de diodo :
Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
650V
Actual - Media rectificada (Io) :
28A (DC)
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
1.7V @ 20A
Velocidade :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) :
42ns
Actual - Fuga inversa @ Vr :
40µA @ 650V
Capacitancia @ Vr, F :
-
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete / Estuche :
TO-220-2 Full Pack
Paquete de dispositivos de provedores :
PG-TO220-2 Full Pack
Temperatura de funcionamento: unión :
-40°C ~ 175°C
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