Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-HFA04SD60S-M3

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Número de peza:
VS-HFA04SD60S-M3
Fabricante:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición detallada:
DIODE GEN PURP 600V 4A TO252AA. Diodes - General Purpose, Power, Switching 4A 600V Ultrafast 17ns HEXFRED
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - JFETs, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Finalidade especial and Diodos - RF ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-HFA04SD60S-M3 Atributos do produto

Número de peza : VS-HFA04SD60S-M3
Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición : DIODE GEN PURP 600V 4A TO252AA
Serie : HEXFRED®
Estado da parte : Active
Tipo de diodo : Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) : 600V
Actual - Media rectificada (Io) : 4A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se : 1.8V @ 4A
Velocidade : -
Tempo de recuperación inversa (trr) : -
Actual - Fuga inversa @ Vr : 3µA @ 600V
Capacitancia @ Vr, F : -
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete / Estuche : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paquete de dispositivos de provedores : D-PAK (TO-252AA)
Temperatura de funcionamento: unión : -55°C ~ 150°C

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