VS-HFA04SD60S-M3 Prezos (USD) [53136unidades de stock]
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- Número de peza:
- VS-HFA04SD60S-M3
- Fabricante:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Descrición detallada:
- DIODE GEN PURP 600V 4A TO252AA. Diodes - General Purpose, Power, Switching 4A 600V Ultrafast 17ns HEXFRED
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
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- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - IGBTs - Arrays, Módulos de controlador de enerxía, Transistores - IGBTs - Single and Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays ...
- Ventaxa competitiva:
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VS-HFA04SD60S-M3 Atributos do produto
Número de peza :
VS-HFA04SD60S-M3
Fabricante :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición :
DIODE GEN PURP 600V 4A TO252AA
Serie :
HEXFRED®
Estado da parte :
Active
Tipo de diodo :
Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
600V
Actual - Media rectificada (Io) :
4A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
1.8V @ 4A
Velocidade :
-
Tempo de recuperación inversa (trr) :
-
Actual - Fuga inversa @ Vr :
3µA @ 600V
Capacitancia @ Vr, F :
-
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paquete de dispositivos de provedores :
D-PAK (TO-252AA)
Temperatura de funcionamento: unión :
-55°C ~ 150°C
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Pezas quentes
- SF10JG-A
- GI816-E3/73
- FR101TA
- IDH12G65C5XKSA1
- VS-10ETF12SPBF
- JANTX1N1190
- SS15HE3_A/H
- SRP100K-E3/54
- S5GHE3/9AT
- SK33/TR13
- CDBK0530-HF
- UF4001-TP
- D251N08BXPSA1
- MSS1P2U-M3/89A
- UH2BHE3/5BT
- 1N1128AR
- SL44HE3/57T
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- S1B-E3/51T
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- BYD33JGP-E3/54
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