Número de peza :
1N3595US
Fabricante :
Microsemi Corporation
Descrición :
DIODE GEN PURP 4A B-MELF
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
-
Actual - Media rectificada (Io) :
4A (DC)
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
1V @ 200mA
Velocidade :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) :
3µs
Actual - Fuga inversa @ Vr :
1nA @ 125V
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
SQ-MELF, B
Paquete de dispositivos de provedores :
B, SQ-MELF
Temperatura de funcionamento: unión :
-65°C ~ 150°C