SIDC53D120H8X1SA1 Prezos (USD) [11558unidades de stock]
- 1 pcs$3.56526
- Número de peza:
- SIDC53D120H8X1SA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- DIODE GEN PURP 1.2KV 100A WAFER.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - RF, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - Finalidade especial, Transistores - Unión programable, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Diodos - Rectificadores - Arrays ...
- Ventaxa competitiva:
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SIDC53D120H8X1SA1 Atributos do produto
Número de peza :
SIDC53D120H8X1SA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
DIODE GEN PURP 1.2KV 100A WAFER
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo de diodo :
Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
1200V
Actual - Media rectificada (Io) :
100A (DC)
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
1.97V @ 100A
Velocidade :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) :
-
Actual - Fuga inversa @ Vr :
27µA @ 1200V
Capacitancia @ Vr, F :
-
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
Die
Paquete de dispositivos de provedores :
Sawn on foil
Temperatura de funcionamento: unión :
-40°C ~ 175°C
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