Vishay Semiconductor Diodes Division - RGF1GHE3/67A

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Número de peza:
RGF1GHE3/67A
Fabricante:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición detallada:
DIODE GEN PURP 400V 1A DO214BA. Diodes - General Purpose, Power, Switching 1 Amp 400 Volt 150ns 30 Amp IFSM
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - RF, Diodos: rectificadores de ponte, Tiristores - SCRs - Módulos, Tiristores: TRIAC, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - IGBTs - Arrays and Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RGF1GHE3/67A Atributos do produto

Número de peza : RGF1GHE3/67A
Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición : DIODE GEN PURP 400V 1A DO214BA
Serie : SUPERECTIFIER®
Estado da parte : Active
Tipo de diodo : Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) : 400V
Actual - Media rectificada (Io) : 1A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se : 1.3V @ 1A
Velocidade : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) : 150ns
Actual - Fuga inversa @ Vr : 5µA @ 400V
Capacitancia @ Vr, F : 8.5pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete / Estuche : DO-214BA
Paquete de dispositivos de provedores : DO-214BA (GF1)
Temperatura de funcionamento: unión : -65°C ~ 175°C

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