FESB16DTHE3/81 Prezos (USD) [68452unidades de stock]
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- Número de peza:
- FESB16DTHE3/81
- Fabricante:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Descrición detallada:
- DIODE GEN PURP 200V 16A TO263AB. Rectifiers 200 Volt 16 Amp 35ns Single
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - Unión programable, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos and Tiristores: TRIAC ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division FESB16DTHE3/81 electronic components. FESB16DTHE3/81 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FESB16DTHE3/81, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FESB16DTHE3/81 Atributos do produto
Número de peza :
FESB16DTHE3/81
Fabricante :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición :
DIODE GEN PURP 200V 16A TO263AB
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo de diodo :
Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
200V
Actual - Media rectificada (Io) :
16A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
975mV @ 16A
Velocidade :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) :
35ns
Actual - Fuga inversa @ Vr :
10µA @ 200V
Capacitancia @ Vr, F :
175pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-263AB
Temperatura de funcionamento: unión :
-65°C ~ 150°C
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