Micron Technology Inc. - MT29F2G08ABAEAH4-AATX:E TR

KEY Part #: K937826

MT29F2G08ABAEAH4-AATX:E TR Prezos (USD) [18200unidades de stock]

  • 1 pcs$2.75043
  • 1,000 pcs$2.73675

Número de peza:
MT29F2G08ABAEAH4-AATX:E TR
Fabricante:
Micron Technology Inc.
Descrición detallada:
IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash SLC 2G 256MX8 FBGA
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Lóxica - Portas e Inversores: multifunción, config, Lóxica: contadores, divisores, Reloxo / Temporalización - Liñas de atraso, Lóxica: Multivibradores, Memoria - Baterías, Memoria: controladores, Interfaz: Interfaces de sensores e detectores and Adquisición de datos: conversores analóxicos a dix ...
Ventaxa competitiva:
We specialize in Micron Technology Inc. MT29F2G08ABAEAH4-AATX:E TR electronic components. MT29F2G08ABAEAH4-AATX:E TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MT29F2G08ABAEAH4-AATX:E TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MT29F2G08ABAEAH4-AATX:E TR Atributos do produto

Número de peza : MT29F2G08ABAEAH4-AATX:E TR
Fabricante : Micron Technology Inc.
Descrición : IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA
Serie : -
Estado da parte : Active
Tipo de memoria : Non-Volatile
Formato de memoria : FLASH
Tecnoloxía : FLASH - NAND
Tamaño da memoria : 2Gb (256M x 8)
Frecuencia do reloxo : -
Cycle Time - Word, páx : -
Tempo de acceso : -
Interface de memoria : Parallel
Tensión - subministración : 2.7V ~ 3.6V
Temperatura de operación : -40°C ~ 105°C (TA)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete / Estuche : 63-VFBGA
Paquete de dispositivos de provedores : 63-VFBGA (9x11)

Tamén pode estar interesado
  • 71V25761S166PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 128Kx36 SYNC 3.3V PIPELINED BURST SRAM

  • W9825G2JB-75

    Winbond Electronics

    IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 256M SDR SDRAM x32, 133MHz,

  • W9825G2JB-6

    Winbond Electronics

    IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 256M SDR SDRAM x32, 166MHz,

  • IS66WVC4M16EALL-7010BLI

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC PSRAM 64M PARALLEL 54VFBGA.

  • W97AH2KBVX2I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA. DRAM 1Gb LPDDR2, x32, 400MHz, -40 85C

  • W97AH6KBVX2I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA. DRAM 1Gb LPDDR2, x16, 400MHz, -40 85C