Vishay Semiconductor Diodes Division - BAQ35-GS18

KEY Part #: K6458532

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Número de peza:
BAQ35-GS18
Fabricante:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición detallada:
DIODE GEN PURP 125V 200MA SOD80. Diodes - General Purpose, Power, Switching 125 Volt 200mA 2.0 Amp IFSM
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
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Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BAQ35-GS18 Atributos do produto

Número de peza : BAQ35-GS18
Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición : DIODE GEN PURP 125V 200MA SOD80
Serie : -
Estado da parte : Active
Tipo de diodo : Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) : 125V
Actual - Media rectificada (Io) : 200mA
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se : 1V @ 100mA
Velocidade : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo de recuperación inversa (trr) : -
Actual - Fuga inversa @ Vr : 1nA @ 60V
Capacitancia @ Vr, F : 3pF @ 0V, 1MHz
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete / Estuche : DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Paquete de dispositivos de provedores : SOD-80 MiniMELF
Temperatura de funcionamento: unión : -65°C ~ 175°C

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