Vishay Semiconductor Diodes Division - BYM07-400HE3_A/I

KEY Part #: K6457878

BYM07-400HE3_A/I Prezos (USD) [732237unidades de stock]

  • 1 pcs$0.05051

Número de peza:
BYM07-400HE3_A/I
Fabricante:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición detallada:
DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Rectifiers 0.5A,400V,50NS GL34 AEC-Q101 Qualified
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - IGBTs - Arrays, Tiristores: DIACs, SIDACs, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Tiristores: SCRs ...
Ventaxa competitiva:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BYM07-400HE3_A/I electronic components. BYM07-400HE3_A/I can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BYM07-400HE3_A/I, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BYM07-400HE3_A/I Atributos do produto

Número de peza : BYM07-400HE3_A/I
Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición : DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213
Serie : Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
Estado da parte : Active
Tipo de diodo : Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) : 400V
Actual - Media rectificada (Io) : 500mA
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se : 1.35V @ 500mA
Velocidade : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) : 50ns
Actual - Fuga inversa @ Vr : 5µA @ 400V
Capacitancia @ Vr, F : 7pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete / Estuche : DO-213AA (Glass)
Paquete de dispositivos de provedores : DO-213AA (GL34)
Temperatura de funcionamento: unión : -65°C ~ 175°C

Tamén pode estar interesado
  • RGL34G-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 400 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM

  • BYM07-300-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 300V 500MA DO213. Rectifiers 300 Volt 0.5A 50ns Glass Passivated

  • BYM07-50-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA. Rectifiers 50 Volt 0.5A 50ns Glass Passivated

  • EGL34C-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 150V 500MA DO213. Rectifiers 0.5Amp 150 Volt 50ns

  • EGL34F-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 300V 500MA DO213. Rectifiers 0.5Amp 300 Volt 50ns

  • EGL34A-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA. Rectifiers 0.5 Amp 50 Volt 50ns