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- Número de peza:
- SIA912DJ-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrición detallada:
- MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC70-6.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Finalidade especial, Diodos - RF, Transistores - IGBTs - Single, Módulos de controlador de enerxía and Transistores - JFETs ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Vishay Siliconix SIA912DJ-T1-GE3 electronic components. SIA912DJ-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIA912DJ-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SIA912DJ-T1-GE3 Atributos do produto
Número de peza :
SIA912DJ-T1-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrición :
MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC70-6
Serie :
TrenchFET®
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Función FET :
Logic Level Gate
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
12V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
40 mOhm @ 4.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
11.5nC @ 8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
400pF @ 6V
Potencia: máx :
6.5W
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Paquete de dispositivos de provedores :
PowerPAK® SC-70-6 Dual
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