Vishay Siliconix - SI7403BDN-T1-GE3

KEY Part #: K6406385

[1337unidades de stock]


    Número de peza:
    SI7403BDN-T1-GE3
    Fabricante:
    Vishay Siliconix
    Descrición detallada:
    MOSFET P-CH 20V 8A 1212-8 PPAK.
    Prazo de entrega estándar do fabricante:
    En stock
    Vida útil:
    Un ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pago:
    Forma de envío:
    Categorías familiares:
    KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - Finalidade especial, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado and Transistores - JFETs ...
    Ventaxa competitiva:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI7403BDN-T1-GE3 Atributos do produto

    Número de peza : SI7403BDN-T1-GE3
    Fabricante : Vishay Siliconix
    Descrición : MOSFET P-CH 20V 8A 1212-8 PPAK
    Serie : TrenchFET®
    Estado da parte : Obsolete
    Tipo FET : P-Channel
    Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
    Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 20V
    Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 8A (Tc)
    Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 2.5V, 4.5V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 74 mOhm @ 5.1A, 4.5V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
    Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 15nC @ 8V
    Vgs (máximo) : ±8V
    Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 430pF @ 10V
    Función FET : -
    Disipación de potencia (máx.) : 3.1W (Ta), 9.6W (Tc)
    Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Tipo de montaxe : Surface Mount
    Paquete de dispositivos de provedores : PowerPAK® 1212-8
    Paquete / Estuche : PowerPAK® 1212-8