Vishay Semiconductor Diodes Division - SS2FH10-M3/H

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Número de peza:
SS2FH10-M3/H
Fabricante:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición detallada:
DIODE SCHOTTKY 100V 2A DO-219AB. Schottky Diodes & Rectifiers If 2A Vrrm 100V DO-219AB Ifsm 50A
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Finalidade especial, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Diodos - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Tiristores: TRIAC, Transistores - Unión programable, Transistores - IGBTs - Módulos and Transistores - IGBTs - Single ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SS2FH10-M3/H Atributos do produto

Número de peza : SS2FH10-M3/H
Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición : DIODE SCHOTTKY 100V 2A DO-219AB
Serie : Automotive, AEC-Q101, eSMP®
Estado da parte : Active
Tipo de diodo : Schottky
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) : 100V
Actual - Media rectificada (Io) : 2A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se : 860mV @ 2A
Velocidade : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) : -
Actual - Fuga inversa @ Vr : 5µA @ 10V
Capacitancia @ Vr, F : 70pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete / Estuche : DO-219AB
Paquete de dispositivos de provedores : DO-219AB (SMF)
Temperatura de funcionamento: unión : -55°C ~ 175°C

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