Infineon Technologies - BSC009NE2LS5ATMA1

KEY Part #: K6419440

BSC009NE2LS5ATMA1 Prezos (USD) [112253unidades de stock]

  • 1 pcs$0.32950
  • 5,000 pcs$0.31796

Número de peza:
BSC009NE2LS5ATMA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 25V 41A 8TDSON.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Módulos de controlador de enerxía, Transistores - IGBTs - Arrays, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Diodos - RF, Diodos - Zener - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado and Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays ...
Ventaxa competitiva:
We specialize in Infineon Technologies BSC009NE2LS5ATMA1 electronic components. BSC009NE2LS5ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSC009NE2LS5ATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSC009NE2LS5ATMA1 Atributos do produto

Número de peza : BSC009NE2LS5ATMA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrición : MOSFET N-CH 25V 41A 8TDSON
Serie : OptiMOS™
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 25V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 41A (Ta), 100A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 0.9 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 57nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 3900pF @ 12V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 2.5W (Ta), 74W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : PG-TDSON-8
Paquete / Estuche : 8-PowerTDFN

Tamén pode estar interesado