IRFHM8334TRPBF Prezos (USD) [301457unidades de stock]
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- Número de peza:
- IRFHM8334TRPBF
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 30V 13A 8PQFN.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - JFETs and Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays ...
- Ventaxa competitiva:
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IRFHM8334TRPBF Atributos do produto
Número de peza :
IRFHM8334TRPBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET N-CH 30V 13A 8PQFN
Serie :
HEXFET®
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
30V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
13A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
9 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.35V @ 25µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
15nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
1180pF @ 10V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
2.7W (Ta), 28W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Paquete / Estuche :
8-PowerTDFN
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