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- Número de peza:
- IRFH7185TRPBF
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET N CH 100V 19A 8QFN.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores - SCRs - Módulos, Tiristores: DIACs, SIDACs, Diodos - Zener - Single, Diodos - Zener - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Tiristores: TRIAC and Transistores - IGBTs - Arrays ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IRFH7185TRPBF electronic components. IRFH7185TRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFH7185TRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRFH7185TRPBF Atributos do produto
Número de peza :
IRFH7185TRPBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET N CH 100V 19A 8QFN
Serie :
FASTIRFET™, HEXFET®
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
100V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
19A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
5.2 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.6V @ 150µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
54nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
2320pF @ 50V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
3.6W (Ta), 160W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
8-PQFN (5x6)
Paquete / Estuche :
8-PowerTDFN
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