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- Número de peza:
- APTM120H57FT3G
- Fabricante:
- Microsemi Corporation
- Descrición detallada:
- MOSFET 4N-CH 1200V 17A SP3.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Rectificadores - Solteiros, Transistores - Finalidade especial, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Diodos - Zener - Single, Diodos: rectificadores de ponte, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos and Tiristores: TRIAC ...
- Ventaxa competitiva:
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APTM120H57FT3G Atributos do produto
Número de peza :
APTM120H57FT3G
Fabricante :
Microsemi Corporation
Descrición :
MOSFET 4N-CH 1200V 17A SP3
Serie :
-
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
4 N-Channel (H-Bridge)
Función FET :
Standard
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
1200V (1.2kV)
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
17A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
684 mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 2.5mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
187nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
5155pF @ 25V
Potencia: máx :
390W
Temperatura de operación :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Chassis Mount
Paquete / Estuche :
SP3
Paquete de dispositivos de provedores :
SP3
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