Infineon Technologies - IRF6718L2TRPBF

KEY Part #: K6416047

IRF6718L2TRPBF Prezos (USD) [48426unidades de stock]

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  • 4,000 pcs$1.00934

Número de peza:
IRF6718L2TRPBF
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 25V 61A DIRECTFET L6.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
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Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF6718L2TRPBF Atributos do produto

Número de peza : IRF6718L2TRPBF
Fabricante : Infineon Technologies
Descrición : MOSFET N-CH 25V 61A DIRECTFET L6
Serie : HEXFET®
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 25V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 61A (Ta), 270A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 0.7 mOhm @ 61A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.35V @ 150µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 96nC @ 4.5V
Vgs (máximo) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 6500pF @ 13V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 4.3W (Ta), 83W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : DIRECTFET L6
Paquete / Estuche : DirectFET™ Isometric L6

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