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- Número de peza:
- IPS050N03LGBKMA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CHANNEL 30V 50A TO251-3.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Finalidade especial, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Unión programable, Diodos - Zener - Single, Transistores - IGBTs - Single and Transistores - IGBTs - Módulos ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IPS050N03LGBKMA1 electronic components. IPS050N03LGBKMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPS050N03LGBKMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPS050N03LGBKMA1 Atributos do produto
Número de peza :
IPS050N03LGBKMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET N-CHANNEL 30V 50A TO251-3
Serie :
OptiMOS™
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
30V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
50A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
5 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
31nC @ 10V
Vgs (máximo) :
-
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
3200pF @ 15V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
68W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
PG-TO251-3
Paquete / Estuche :
TO-251-3 Stub Leads, IPak
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