Fabricante :
Microsemi Corporation
Descrición :
DIODE GEN PURP 600V 100A HALFPAK
Estado da parte :
Obsolete
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
600V
Actual - Media rectificada (Io) :
100A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
1.35V @ 100A
Velocidade :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) :
90ns
Actual - Fuga inversa @ Vr :
50µA @ 600V
Capacitancia @ Vr, F :
275pF @ 10V, 1Mhz
Tipo de montaxe :
Chassis Mount
Paquete / Estuche :
HALF-PAK
Paquete de dispositivos de provedores :
HALF-PAK
Temperatura de funcionamento: unión :
-