DMN2011UFX-7 Prezos (USD) [249522unidades de stock]
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- Número de peza:
- DMN2011UFX-7
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descrición detallada:
- MOSFET 2N-CH 20V 12.2A DFN2050-4.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - Finalidade especial, Transistores - Unión programable, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Tiristores: SCRs, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor and Tiristores: TRIAC ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Diodes Incorporated DMN2011UFX-7 electronic components. DMN2011UFX-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN2011UFX-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMN2011UFX-7 Atributos do produto
Número de peza :
DMN2011UFX-7
Fabricante :
Diodes Incorporated
Descrición :
MOSFET 2N-CH 20V 12.2A DFN2050-4
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Función FET :
Standard
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
20V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
12.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
9.5 mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
56nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
2248pF @ 10V
Potencia: máx :
2.1W
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
4-VFDFN Exposed Pad
Paquete de dispositivos de provedores :
V-DFN2050-4
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