Vishay Siliconix - SI4836DY-T1-GE3

KEY Part #: K6406099

[1437unidades de stock]


    Número de peza:
    SI4836DY-T1-GE3
    Fabricante:
    Vishay Siliconix
    Descrición detallada:
    MOSFET N-CH 12V 17A 8-SOIC.
    Prazo de entrega estándar do fabricante:
    En stock
    Vida útil:
    Un ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pago:
    Forma de envío:
    Categorías familiares:
    KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Finalidade especial, Tiristores - SCRs - Módulos, Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Tiristores: TRIAC, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual and Transistores - IGBTs - Arrays ...
    Ventaxa competitiva:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI4836DY-T1-GE3 Atributos do produto

    Número de peza : SI4836DY-T1-GE3
    Fabricante : Vishay Siliconix
    Descrición : MOSFET N-CH 12V 17A 8-SOIC
    Serie : TrenchFET®
    Estado da parte : Obsolete
    Tipo FET : N-Channel
    Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
    Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 12V
    Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 17A (Ta)
    Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 1.8V, 4.5V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3 mOhm @ 25A, 4.5V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 400mV @ 250µA (Min)
    Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 75nC @ 4.5V
    Vgs (máximo) : ±8V
    Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : -
    Función FET : -
    Disipación de potencia (máx.) : 1.6W (Ta)
    Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Tipo de montaxe : Surface Mount
    Paquete de dispositivos de provedores : 8-SO
    Paquete / Estuche : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)