Infineon Technologies - IDW10G120C5BFKSA1

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Número de peza:
IDW10G120C5BFKSA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrición detallada:
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO247-3. Schottky Diodes & Rectifiers SIC CHIP/DISCRETE
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado and Tiristores: DIACs, SIDACs ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IDW10G120C5BFKSA1 Atributos do produto

Número de peza : IDW10G120C5BFKSA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrición : DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO247-3
Serie : CoolSiC™
Estado da parte : Active
Configuración do diodo : 1 Pair Common Cathode
Tipo de diodo : Silicon Carbide Schottky
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) : 1200V
Actual - Media rectificada (Io) (por diodo) : 17A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se : 1.65V @ 5A
Velocidade : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) : -
Actual - Fuga inversa @ Vr : 40µA @ 1200V
Temperatura de funcionamento: unión : -55°C ~ 175°C
Tipo de montaxe : Through Hole
Paquete / Estuche : TO-247-3
Paquete de dispositivos de provedores : PG-TO247-3-41

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